Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/167379Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | კეკელიძე, ნოდარ | - |
| dc.contributor.author | ხომასურიძე, დავით | - |
| dc.date.accessioned | 2016-07-26T12:52:42Z | - |
| dc.date.available | 2016-07-26T12:52:42Z | - |
| dc.date.issued | 2012-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/167379 | - |
| dc.description.tableofcontents | შესავალი –– თავი 1.ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ბინარული ნაერთების თვისებები (ლიტერატურული მიმოხილვა)–– 1.1.ზოგადი თვისებები –– 1.2.ელექტრონების ენერგეტიკული სპექტრი–– ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ენერგეტიკული ზონები –– 1.3. ელექტრული თვისებები –– 1.3.1. III–V ნაერთების ელექტრული თვისებების თავისებურებანი –– 1.3.2. გაბნევის მექანიზმები –– 1.3.3. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია ; 1.3.4 დასხივების გავლენა ელექტრულ თვისებებზე –– 1.4. დენის მატარებელთა გაბნევა სხვადასხვა ტიპის მოუწესრიგებელი უბნების მქონე ნახევარგამტარებში –– 1.4.1. არაერთგვაროვნობების ტიპები –– 1.4.2. ტექნოლოგიური წარმოშობის მოუწესრიგებელი არეები–– დასკვნები –– თავი 2. მასალები და გაზომვის მეთოდები –– 2.1. ექსპერიმენტული ნიმუშები –– 2.2. ჰოლის ეფექტის და ელექტროგამტარობის გაზომვების მეთოდიკა –– 2.2.1. მეთოდის არსი –– 2.2.2. ნიმუშების მომზადება გაზომვებისთვის –– 2.2.3. გაზომვების ჩატარება –– 2.2.4. გაზომვების ცდომილება –– 2.3. ექსპერიმენტული დანადგარები –– 2.3.1 დაბალტემპერატურული გაზომვები 4.2-300 K ტემპერატურულ ინტერვალში –– 2.3.2 დაბალტემპერატურული გაზომვები 78-300K ტემპერატურულ ინტერვალში –– 2.4. ნიმუშების დასხივება –– 2.5. ნიმუშების გამოწვა –– შედეგები და მათი განსჯა –– თავი 3.ინდიუმის არსენიდის და ინდიუმის ფოსფიდის ელექტრული თვისებები –– 3.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია –– 3.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა ინდიუმის არსენიდში –– 3.3. დენის მატარებელთა ძვრადობა ინდიუმის ფოსფიდში –– 3.3.1. მუხტის მატარებელთა გაბნევის პრობლემა ნეიტრალურ მინარევზე –– 3.3.2. მუხტის მატარებელთა გაბნევის თავისებურებანი ელექტრულად ნეიტრალური მინარევების ატომებზე InP ნაერთში–– თავი 4. ჩქარი ნეიტრონებით დასხივებული InAs–ით მდიდარი InAs- InP მყარი ხსნარების ელექტრული თვისებები –– 4.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია –– 4.1.1 გამოწვამდე –– 4.1.2. იზოქრონული გამოწვა –– 4.2.2. იზოქრონული გამოწვა –– თავი 5. ჩქარი ნეიტრონებით დასხივებული InP –თი მდიდარი In As–InP მყარი ხსნარების ელექტრული თვისებები –– 5.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია გამოწვამდე –– 5.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა გამოწვამდე –– 5.3. იზოქრონული გამოწვა –– თავი 6. ტექნოლოგიური წარმოშობის მოუწესრიგებელი უბნების მქონე ინდიუმ ფოსფიდის კრისტალების ელექტრული თვისებები –– 6.1. დენის მატარებელთა კონცენტრაცია –– 6.2. დენის მატარებელთა ძვრადობა –– 6.2.1. დასხივებამდე –– 6. 2.2. დასხივება –– 6.2.3. „ეფექტური“ დენის მატარებელთა „ჰოლის ძვრადობა“–– გამოყენებული ლიტერატურა | - |
| dc.format.extent | 137 გვ. | en_US |
| dc.language.iso | ka | en_US |
| dc.publisher | თბილისი | en_US |
| dc.source | A3B5 ტიპის ნახევარგამტარული მასალების რადიაციული თვისებების შესწავლა / დ. ხომასურიძე; დის... დოქტ. აკად. ხარ. / ხელმძღვ.: ნოდარ კეკელიძე; საქ. ტექ. უნ-ტი; თბ., 2012 - 137 გვ. - - ბიბლიოგრ.: გვ. 129 -137.(საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა, საარქივო ფონდი) | en_US |
| dc.subject | ფიზიკა | en_US |
| dc.subject | ნახევარგამტარების რადიაციული თვისებები | en_US |
| dc.subject | დენის მატარებელთა კონცენტრაცია | en_US |
| dc.title | A3B5 ტიპის ნახევარგამტარული მასალების რადიაციული თვისებების შესწავლა | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| dc.rights.holder | საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა | en_US |
| Appears in Collections: | ეროვნული ბიბლიოთეკის დისერტაციებისა და ავტორეფერატების ფონდი | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Disertacia.pdf | 2.49 MB | Adobe PDF |  View/Open | |
| Avtoreferati.pdf | 543.22 kB | Adobe PDF |  View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.