ამ ეგზემპლარზე გადასასვლელად გამოიყენეთ ეს იდენტიფიკატორი:
https://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/167167მეტამონაცემთა სრული ჩანაწერი
| DC ველი | მნიშვნელობა | ენა |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | კალანდაძე, იამზე | - |
| dc.contributor.author | ხიზანიშვილი, შორენა | - |
| dc.date.accessioned | 2016-07-26T07:21:18Z | - |
| dc.date.available | 2016-07-26T07:21:18Z | - |
| dc.date.issued | 2012-03 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nplg.gov.ge/handle/1234/167167 | - |
| dc.description.tableofcontents | შესავალი –– თავი 1. ლიტერატურული მიმოხილვა –– თავი 2. აირადი ფაზის შემადგენლობის–– ლეგირების დონის და ზრდის სიჩქარის ტქნოლოგიურ პარამეტრებზე დამოკიდებულების თერმოდინამიკური ანგარიში Ga-AsCl3-SiCl4-H2 სისტემაში –– 2.1. სისტემაში კომპონენტების პარციალური წნევის ანგარიში–– 2.1.1. AsCl3–– SiCl4 და H2 პარციალური წნევების ანგარიში რეაქტორის შესასვლელზე–– 1.2. კომპონენტების პარციალური წნევის საანგარიშო განტოლებების სისტემის შედგენა––2.1.3. აირადი ფაზის შემადგენლობის ანგარიშის შედეგები–– 2.2. ეპიტაქსიურ გალიუმის არსენიდში სილიციუმის შესვლის კოეფიციენტის ანგარიში–– 2.3. GaAs ეპიტაქსიური ფენების ზრდის სიჩქარის პროცესის პარამეტრებზე დამოკიდებულების ანგარიში; მე–2 თავის დასკვნები–– თავი 3. გარდამავალი ფენის სისქის შემცირების მეთოდის შემუშავება –– 3.1. აპარატურა და მასალები –– 3.2. კვლევის მეთოდიკა–– 3.2.1. GaAs n და n+ ტიპის ეპიტაქსიური ფენების ზრდა–– 3.2.2. აირადი მოწამვლის მეთოდი–– 3.2.3. გალიუმის არსენიდის ეპიტაქსიური ფენების სისქის მიხედვით დენის გადამტანების განაწილების პროფილების გადაღების მეთოდიკა –– 3.2.4. SiO2-ის დალექვა ეპიტაქსიური გალიუმის არსენიდის ზედაპირზე–– 3.3. წინასწარი აირადი მოწამვლის (წ.ა.მ.) გავლენა მაღალომიანი გარდამავალი ფენის სისქეზე –– 3.4. ეპიტაქსიის ტემპერატურის შემცირების გავლენა ფენების კონცენტრაციულ პროფილზე–– 3.5. ზრდისა და მოწამვლის სიჩქარის დამოკიდებულების კვლევა პროცესის ხანგრძლივობაზე –– 3.6. გალიუმის არსენიდის ერთგვაროვანი ეპიტაქსიური ფენების მიღების მეთოდის შემუშავება–– 3.7. აირადი ფაზის შემადგენლობის გამოკვლევა (ზრ.-მოწ.-ზრ.) მეთოდით G a A ზრდის პროცესისდროს–– მე-3 თავის დასკვნები –– თავი 4.GaAs-SiO2-ის სტრუქტურების მიღების პროცესის შესწავლა ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში –– 4.1. SiO -ის დიელექტრიკული ფენის მიღება–– 4.1.1.SiO -ი2 ს ფენის სტრუქტურადა შემადგენლობის გამოკვლევა –– 4.1.2. ეპიტაქსიური გალიუმის არსენიდის და სილიციუმის ორჟანგის დიელექტრიკული ფენების ზრდის შეთავსებული პროცესი –– დასკვნები მე-4 თავისათვის –– თავი 5. განნის დიოდების მიღების ტექნოლოგიის შემუშავება და მისი გამოცდის შედეგები–– 5.1. ზრდის და მოწამვლის სელექტიური პროცესების შემუშავება –– 5.2. შემუშავებული სტრუქტურების ბაზაზე დამზადებული განნის დიოდების საწარმოო გამოცდების შედეგები –– მე-5 თავის დასკვნები –– ლიტერატურა | - |
| dc.format.extent | 164 გვ. | en_US |
| dc.language.iso | ka | en_US |
| dc.publisher | თბილისი | en_US |
| dc.source | ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში GaAs სტრუქტურის მიღების პროცესის დამუშავება / შ. ხიზანიშვილი; დის... დოქტ. აკად. ხარ. /სამეცნ. ხელმძღვანელი: იამზე, კალანდაძე; საქ. ტექ. უნ-ტი; თბ., 2012 - 164 გვ. - - ბიბლიოგრ.: გვ. 150 -164.(საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა, საარქივო ფონდი) | en_US |
| dc.subject | ნახევარგამტარული ხელსაწყოები | en_US |
| dc.subject | ტექნიკა | en_US |
| dc.subject | თერმოდინამიკური ანგარიში | en_US |
| dc.title | ერთიან ტექნოლოგიურ ციკლში GaAs სტრუქტურის მიღების პროცესის დამუშავება | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| dc.rights.holder | საქართველოს პარლამენტის ეროვნული ბიბლიოთეკა | en_US |
| შესულია კოლექციებში: | ეროვნული ბიბლიოთეკის დისერტაციებისა და ავტორეფერატების ფონდი | |
ფაილები ამ ეგზემპლარში:
| ფაილი | აღწერილობა | ზომა | ფორმატი | |
|---|---|---|---|---|
| Disertacia.pdf | 21.57 MB | Adobe PDF |  ნახვა / გახსნა | |
| Avtoreferati.pdf | 3.58 MB | Adobe PDF |  ნახვა / გახსნა |
საავტორო უფლება